استخراج پارامترهای dc برای ترانزیستورهای مجزای توان و مجتمع

مشخصه یابی ترانزیستورها و محاسبه پارامترهای مختلف آن ها در نواحی کاری متفاوت و بررسی تغییرات آن ها با تغییر در ولتاژ و دما، از مهم ترین مسائل جهت ارائه مدلی صحیح و دقیق برای ترانزیستور است. اگرچه روش های بسیاری برای استخراج پارامترهای ترانزیستور گزارش شده است، اما از آن جا که برای بهبود بخشیدن به کارایی ترانزیستورها در کاربردهای مختلف، از جمله کوچک سازی، افزایش فرکانس و توان کاری، ساختارهای جدیدی ارائه می شود، همواره نیاز به روش و شیوه های نوین برای محاسبه پارامترها، با در نظر گرفتن اثرات ناشی از تغییر ساختار، احساس می شود. لذا مشخصه یابی و ارائه شیوه هایی با دقت بالا برای استخراج پارامترهای پارازیتیک ترانزیستور، از زمینه هایی است که هم چنان مورد علاقه پژوهش گران می باشد. مشخصه یابی جریان مستقیم و استخراج پارامترهای پارازیتیک یک ماسفت مجتمع و یک ماسفت مجزای توان vdmos هدف اصلی این پژوهش می باشد. ابتدا با اندازه گیری جریان درین به عنوان تابعی از ولتاژ گیت و درین، در نواحی مختلف کاری، برای هر دو ماسفت مجتمع و توان، مشخصه های مختلف از جمله مشخصه انتقالی، خروجی و زیرآستانه به دست آمده است. سپس با استفاده از این اندازه گیری ها، به استخراج پارامترهای مختلف با استفاده از شیوه های متفاوت پرداخته ایم. ماسفت مجتمع مورد مطالعه، ماسفتی با تکنولوژی ساخت 58 نانومتر می باشد و از یک vdmos فرکانس رادیویی با مشخصات 28 ولت و 15 وات کانال n، برای اندازه گیری در بخش توان استفاده شده است. هم چنین، لازم به ذکر است، با توجه به اینکه تاکنون روشی برای محاسبه مقاومت پارازیتیک ماسفت های توان ارائه نشده است؛ در این جا، با اعمال روش رسانایی، جریان درین به vdmos مقاومت های پارازیتیک این ساختار به صورت مجزا استخراج شده است.